Silicium amorphe et polymorphe

Sur le matériau silicium amorphe, voir Notions d’électricité solaire

Sur les photopiles au silicium amorphe, voir Cellules photovoltaïques

Sur les panneaux TD au silicium amorphe, voir Panneaux solaires

Le dépôt de silicium par PECVD* à partir du silane présente de nombreux avantages

 C’est un procédé à température modérée 150-250°C
 Il permet de produire du silicium en couche mince de bonne qualité, sous toutes ses formes : amorphe, polymorphe, microcristallin, dopé ou non dopé, ainsi que des alliages Silicium-Carbone, Silicium-Germanium, Nitrure de Silicium ...
 Il incorpore naturellement l’hydrogène nécessaire à l’obtention de matériaux photoconducteurs
 Il est "autonettoyant" grâce à des plasmas de gravure qui décapent les matériaux déposés sur les parois

* Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition = Dépôt en phase gazeuse assisté par plasma

A SOLEMS tous les composants silicium sont produits à partir d’une jonction p-i-n déposée dans cet équipement.

Pour plus d’infos, voir Procédé de fabrication SOLEMS

Les matériaux disponibles en format 30 x 30 cm à ce jour :

• a-Si:H, intrinsèque, de type p ou de type n
• a-SiC:H type p
• empilements sur demande, p-i-n ou autre, d’épaisseur <1µm

Nous consulter pour toute demande de prestation.